發(fā)布時間：2017-11-29 00:15

  本文關鍵詞：熱絲CVD金剛石涂層溫度場補償優(yōu)化研究

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【摘要】：采用熱絲化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)制備金剛石薄膜時,對反應室溫度場尤其是襯底溫度的精確控制是沉積高質量CVD金剛石膜的主要難點之一。在現(xiàn)有HF 650熱絲CVD設備的基礎上進行優(yōu)化研究,基于熱反射原理,采用Fluent軟件進行模擬仿真計算,據(jù)此提出了反應室溫度場補償裝置,即:在熱絲CVD設備基臺表面與四周布置反射板。對改進后的設備進行試驗對比分析。研究結果表明:利用溫度場補償裝置使襯底溫度波動從原本的9.3%縮小到3.0%,有效改善熱絲CVD系統(tǒng)襯底溫度場的均勻性,并通過試驗測試得到驗證。用該裝置制備的金剛石薄膜中金剛石與石墨的拉曼峰強度比值I_D/I_G=4.33,說明金剛石成膜質量得到提高。
【作者單位】： 同濟大學;中石化科技部;
【基金】：國家自然科學基金資助(51275358) 中央高校專項基金資助(20140750)
【分類號】：TQ163;TB383.2
【正文快照】： 隨著汽車、航空航天、微機械加工等領域的飛速發(fā)展,一些強度高、耐磨性好、熱膨脹系數(shù)小的新型材料,如增強鋁基復合材料、碳纖維增強材料和新型陶瓷材料等,得到了廣泛的應用[1 2]。而金剛石薄膜因具有高硬度、高導熱率、低摩擦系數(shù)以及良好的自潤滑性和化學穩(wěn)定性等優(yōu)異的性

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本文編號：1235510