發(fā)布時間：2017-11-27 11:07

  本文關(guān)鍵詞：不同生長條件對Sn摻雜ZnO薄膜電學(xué)性能的影響

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【摘要】：采用直流反應(yīng)磁控濺射法在玻璃襯底上制備了Sn摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜,用Hall效應(yīng)測試儀表征了薄膜的電學(xué)性能,研究了不同生長條件對薄膜電學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明,隨著Ar/O2比的增加,電阻率先減小后增大,在Ar/O2為6時,取得最低的電阻率為2.02×10-2Ω·cm;隨著濺射功率的增大,薄膜電阻率急劇減小,在140 W時獲得最低電阻率為2.89×10-2Ω·cm;在濺射時間11min時得到了最低的薄膜電阻率,為1.45×10-2Ω·cm。隨著壓強的增大,電阻率先急劇減小,后緩慢增大,當濺射壓強為0.8Pa時,薄膜電阻率具有最小值,為2.17×10-2Ω·cm。當襯底溫度在400~500℃范圍內(nèi)變化時,在475℃時取得最佳電學(xué)性能,電阻率為2.26×10-2Ω·cm。在整個實驗條件下,當Ar/O2為8、濺射功率為180W、襯底溫度為450℃、濺射壓強為0.5Pa、濺射時間為11min時,薄膜具有最佳的導(dǎo)電性能,電阻率為1.45×10-2Ω·cm。
【作者單位】： 長沙理工大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院;浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51302021) 湖南省教育廳科研基金項目(13C1025)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： resistivity of 2.26×10-2Ω·cm.During the whole experiments,the thin film has the bestconductivity and the resistivity is 1.45×10-2Ω·cm,when the ratio of Ar/O2is 8,thesputtering power is 180 W,the substrate temperature is 450℃,the sputtering pressur

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