本文關(guān)鍵詞：原子層沉積法制備微通道板發(fā)射層的性能

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【摘要】：隨著微通道板的不斷發(fā)展與完善,通過改善傳統(tǒng)工藝提升其性能越來越困難,開發(fā)提升微通道板性能的新技術(shù)迫在眉睫。納米薄膜材料的發(fā)展及其制備技術(shù)的成熟為微通道板的發(fā)展提供了契機(jī),利用原子層沉積技術(shù)在通道內(nèi)壁沉積一層氧化鋁納米薄膜,作為二次電子發(fā)射功能層,可以增強(qiáng)通道內(nèi)壁的二次電子發(fā)射能力,從而提升微通道板的增益性能。通過優(yōu)化原子層沉積工藝參數(shù)可以在微通道板的通道內(nèi)壁沉積厚度均勻的氧化鋁薄膜。研究結(jié)果表明,微通道板增益隨沉積氧化鋁厚度的變化而變化,在氧化鋁厚度為60 cycles時,施加偏壓800 V時增益可達(dá)56 000,約為正常微通道板增益的12倍。
【作者單位】： 北方夜視技術(shù)股份有限公司;
【分類號】：TN152;TB383.1
【正文快照】： 0引言微通道板(Microchannel Plate,MCP)是由許多(104~107)個通道電子倍增器(Channeltron ElectronMultiplier,CEM)組成的結(jié)構(gòu)緊湊的兩維陣列,具有體積小、質(zhì)量輕、增益高、噪聲低、均勻性好、空間分辨率高、時間響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于夜視技術(shù)、空間技術(shù)、光學(xué)儀器、光電子

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