電磁場對電弧離子鍍沉積AlTiN涂層的影響
本文關鍵詞:電磁場對電弧離子鍍沉積AlTiN涂層的影響
更多相關文章: 電弧離子鍍 陰極電弧移動 AlTiN涂層 微觀結構 力學性能
【摘要】:主要研究電磁場對電弧離子鍍沉積AlTiN涂層的影響。通過改變電磁場的電壓,研究陰極弧斑在不同電磁場下的運動現(xiàn)象以及AlTiN涂層的微觀結構和力學性能。結果表明陰極弧斑的運動受磁場電壓的影響。增加磁場電壓,弧斑更多的在電弧靶中心區(qū)域聚集。AlTiN涂層的大顆粒分布、沉積速率、微觀結構和硬度相應地受電磁場電壓的影響。文章對相關機理進行了研究。
【作者單位】: 廣東工業(yè)大學機電工程學院;安泰科技股份有限公司;
【基金】:廣東自然科學基金項目(2014A030311002) 企事業(yè)單位委托項目
【分類號】:TB306
【正文快照】: 電弧離子鍍作為工業(yè)化鍍膜的關鍵技術之一。因具有構造簡單、離化率相對較高(約70% ~80%)、入射粒子能量高、繞射性好等一系列優(yōu)點,迅速發(fā)展壯大并得到大規(guī)模應用[1_6]。但是由于涂層表面大顆粒的存在,對涂層的性能與壽命產生不良影響。在電弧離子鍍的沉積過程中,如何優(yōu)化電弧
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【相似文獻】
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,本文編號:1192712
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