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碳納米管場(chǎng)發(fā)射燒毀機(jī)理研究

發(fā)布時(shí)間:2017-11-05 05:06

  本文關(guān)鍵詞:碳納米管場(chǎng)發(fā)射燒毀機(jī)理研究


  更多相關(guān)文章: 碳納米管 場(chǎng)發(fā)射 接觸電阻 燒毀現(xiàn)象


【摘要】:在碳納米管場(chǎng)發(fā)射過(guò)程中,碳納米管燒毀現(xiàn)象一直是影響碳納米管場(chǎng)發(fā)射能力及穩(wěn)定性的重要因素。目前,對(duì)碳納米管燒毀機(jī)理研究較少。本文采用化學(xué)氣相沉積原位生長(zhǎng)技術(shù)制備了不同形貌的碳納米管陣列。通過(guò)對(duì)不同形貌的碳納米管場(chǎng)發(fā)射測(cè)試過(guò)程及碳納米管燒毀前后形貌的研究,得出碳納米管燒毀機(jī)理主要有三種。一是碳納米管高度不均勻和碳納米管本身的缺陷等原因引起了電場(chǎng)局域現(xiàn)象,這種局域場(chǎng)強(qiáng)使得碳納米管局域溫度過(guò)高而引起碳納米管燒毀;二是碳納米管吸附和脫附造成碳納米管燒毀;三是碳納米管與基片間存在較高的接觸電阻而產(chǎn)生較高的焦耳熱,使得碳納米管燒毀。本文不僅給出了碳納米管燒毀機(jī)理,還給出了相應(yīng)的解決方案。這對(duì)碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極的研究具有一定的意義。
【作者單位】: 電磁防護(hù)技術(shù)山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;太原科技大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院;山西大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院;
【基金】:山西省青年創(chuàng)新基金項(xiàng)目(No.2013021004-3,No.2014021020-1) 山西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):2014011049-26)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】:TB383.1
【正文快照】: 碳納米管基于其較好的化學(xué)穩(wěn)定性、力學(xué)性能、電學(xué)性能和機(jī)械性能,不僅在電子器件和電路等方面具有較大的應(yīng)用潛力,而且在場(chǎng)發(fā)射方面也具有較好的應(yīng)用前景[1_2]。與傳統(tǒng)的場(chǎng)發(fā)射源相比,碳納米管場(chǎng)發(fā)射具有較大的電流密度、低閾值場(chǎng)強(qiáng)、室溫發(fā)射等優(yōu)越的性能,這使其在器件應(yīng)用

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 馬富花;許曉麗;李哲;趙亞麗;馬晨;呂德濤;馬通邊;;生長(zhǎng)溫度及催化劑結(jié)構(gòu)對(duì)碳納米管形貌的影響[J];應(yīng)用化工;2015年04期

2 呂文輝;張帥;;接觸電阻對(duì)碳納米管場(chǎng)發(fā)射的影響[J];物理學(xué)報(bào);2012年01期

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4 張強(qiáng);陳澤祥;朱炳金;王小菊;于濤;;碳納米管場(chǎng)致發(fā)射中的空間電荷效應(yīng)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2008年03期

5 張兆祥,張耿民,侯士敏,劉惟敏,趙興鈺,薛增泉;碳納米管的薄膜場(chǎng)發(fā)射[J];真空科學(xué)與技術(shù);2003年01期

【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 李哲;馬江將;李克訓(xùn);李旭峰;魏學(xué)紅;鞠軍燕;賈琨;趙亞麗;;碳納米管場(chǎng)發(fā)射燒毀機(jī)理研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2016年06期

2 孫繼偉;賈琨;賈愛(ài)珍;呂德濤;許曉麗;郭峰;趙亞麗;;碳納米管場(chǎng)發(fā)射測(cè)試方法對(duì)其性能的影響[J];應(yīng)用化工;2016年06期

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4 葉蕓;陳填源;郭太良;蔣亞?wèn)|;;磁場(chǎng)輔助熱處理金屬化碳納米管場(chǎng)發(fā)射性能[J];物理學(xué)報(bào);2014年08期

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6 高見(jiàn);佟鈺;夏楓;劉俊秀;曾尤;;介電體圍繞下繩束狀碳納米管的場(chǎng)發(fā)射特性(英文)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2013年07期

7 王超;賀躍輝;彭超群;王世良;劉新利;;一維W納米材料的場(chǎng)發(fā)射性能及其可控制備的研究進(jìn)展[J];中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào);2012年06期

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9 王莉莉;陳奕衛(wèi);陳婷;孫卓;馮濤;張燕萍;高陽(yáng);闕文修;;電泳法制備場(chǎng)發(fā)射陰極的性能優(yōu)化研究[J];液晶與顯示;2007年06期

10 田時(shí)開(kāi);江天府;楊興華;曾葆青;;碳納米管薄膜的制備及處理對(duì)場(chǎng)發(fā)射特性的影響[J];電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);2006年06期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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2 李祈興;蘇水祥;陳冠廷;賴(lài)有豪;橫山 明聰;;生長(zhǎng)在鎢絲上的碳納米管發(fā)射顯示陰極(英文)[J];電子器件;2008年01期

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4 周小康;周明;吳春霞;袁潤(rùn);;定向生長(zhǎng)碳納米管陣列的制備及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J];材料導(dǎo)報(bào);2007年S1期

5 鄭瑞廷;程國(guó)安;趙勇;劉華平;;碳納米管陣列拉曼光譜的對(duì)比研究[J];光譜學(xué)與光譜分析;2006年06期

6 劉勇;孫曉剛;朱正吼;羅軍;;化學(xué)氣相沉積法制備大面積定向碳納米管[J];材料導(dǎo)報(bào);2006年05期

7 卞保民,賀安之,李振華,楊玲,張平,沈中華,倪曉武;理想氣體一維不定常流自模擬運(yùn)動(dòng)的基本微分方程[J];物理學(xué)報(bào);2005年12期

8 張兆祥,侯士敏,趙興鈺,張浩,孫建平,劉惟敏,薛增泉,施祖進(jìn),顧鎮(zhèn)南;單壁碳納米管的場(chǎng)發(fā)射特性研究[J];物理學(xué)報(bào);2002年02期

9 張兆祥,侯士敏,劉惟敏,趙興鈺,薛增泉,施祖進(jìn),顧鎮(zhèn)南;利用場(chǎng)發(fā)射顯微鏡研究單壁碳納米管的場(chǎng)發(fā)射特性[J];真空科學(xué)與技術(shù);2001年06期

10 孫建平,張兆祥,侯士敏,趙興鈺,施祖進(jìn),顧鎮(zhèn)南,劉惟敏,薛增泉;用場(chǎng)發(fā)射顯微鏡研究單壁碳納米管場(chǎng)發(fā)射[J];物理學(xué)報(bào);2001年09期

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 王莉莉;陳奕衛(wèi);陳婷;孫卓;馮濤;張燕萍;高陽(yáng);闕文修;;電泳法制備場(chǎng)發(fā)射陰極的性能優(yōu)化研究[J];液晶與顯示;2007年06期

2 王隆洋;王小平;王麗軍;段新超;張雷;;摻雜對(duì)碳基材料場(chǎng)發(fā)射的影響[J];材料導(dǎo)報(bào);2008年06期

3 錢(qián)開(kāi)友;林仰魁;徐東;蔡炳初;孫卓;;碳基場(chǎng)發(fā)射冷陰極材料的研究[J];材料導(dǎo)報(bào);2004年05期

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5 邢曉曼;代秋聲;;碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極制備技術(shù)的最新進(jìn)展[J];CT理論與應(yīng)用研究;2013年01期

6 薛增泉,王晶云,梁學(xué)磊,羅驥,張耿民,張兆祥,申自勇,侯士敏,趙興鈺,張琦鋒,高崧,吳錦雷;碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源[J];真空;2005年04期

7 崔雪梅;王艷;鄧敏;丁桂甫;;植布法制備鎳基碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極及其性能研究[J];功能材料;2011年11期

8 陳程程;劉立英;王如志;宋雪梅;王波;嚴(yán)輝;;不同基底的GaN納米薄膜制備及其場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年17期

9 王莉莉;馮濤;林麗鋒;尉帥;陳婷;孫卓;;電泳工藝制備陣列場(chǎng)發(fā)射陰極及其性能的研究[J];液晶與顯示;2008年02期

10 潘金艷;袁占生;衛(wèi)雅芬;劉衛(wèi)華;;Ni基碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極的性能研究[J];材料科學(xué)與工藝;2011年04期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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5 丁明清;李興輝;白國(guó)棟;張甫權(quán);李含雁;馮進(jìn)軍;;集成柵極控制的碳納米管場(chǎng)發(fā)射陣列陰極的制造技術(shù)[A];第八屆真空技術(shù)應(yīng)用學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2005年

6 周雪東;張宇寧;孫瑩;雷威;張曉兵;;最佳碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極陣列密度的研究[A];第四屆華東真空科技學(xué)術(shù)交流展示會(huì)學(xué)術(shù)論文集[C];2003年

7 董長(zhǎng)昆;;應(yīng)用電泳技術(shù)制備場(chǎng)發(fā)射陰極等碳納米管器件[A];中國(guó)真空學(xué)會(huì)2012學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2012年

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10 佘峻聰;黃一峰;王偉良;鄧少芝;許寧生;;硅微尖錐場(chǎng)發(fā)射陰極的微納加工工藝及性能優(yōu)化研究[A];中國(guó)電子學(xué)會(huì)真空電子學(xué)分會(huì)第十九屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集(下冊(cè))[C];2013年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前6條

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4 翟春雪;納米金剛石涂層場(chǎng)發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)與性能研究[D];西北大學(xué);2008年

5 徐進(jìn)卓;基于碳納米管及其復(fù)合材料的場(chǎng)發(fā)射器件的制備及其性能研究[D];華東師范大學(xué);2015年

6 魯占靈;納米非晶碳膜制備及其場(chǎng)致電子發(fā)射性能研究[D];鄭州大學(xué);2006年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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4 王小菊;場(chǎng)發(fā)射陰極的計(jì)算機(jī)模擬[D];電子科技大學(xué);2006年

5 段志強(qiáng);納米體系中場(chǎng)發(fā)射的結(jié)構(gòu)效應(yīng)[D];北京工業(yè)大學(xué);2007年

6 時(shí)晴暄;場(chǎng)發(fā)射陣列薄膜技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2007年

7 袁光軍;表面?zhèn)鲗?dǎo)場(chǎng)發(fā)射陰極的模擬[D];中國(guó)海洋大學(xué);2013年

8 孫亞飛;場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡陰極制備工藝研究[D];上海師范大學(xué);2013年

9 翟春雪;鈦基鈉米金剛石涂層場(chǎng)發(fā)射陰極工藝研究[D];西北大學(xué);2003年

10 李新義;鉬硅化物的場(chǎng)發(fā)射研究[D];電子科技大學(xué);2008年



本文編號(hào):1142706

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