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清華大學(xué)在原位纏繞超長碳納米管制備單色碳納米管線團(tuán)研究取得重要進(jìn)展

發(fā)布時間:2017-10-30 20:23

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  更多相關(guān)文章: 本征半導(dǎo)體 核心材料 電子空穴 半導(dǎo)體材料 規(guī)模化應(yīng)用 電學(xué)性能 信息產(chǎn)業(yè) 高遷移率 移動智能 半導(dǎo)體性


【摘要】:正伴隨著可移動智能設(shè)備、云存儲和大數(shù)據(jù)處理的廣泛應(yīng)用,快速發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)對下一代更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體材料提出了更高的要求。碳納米管電子空穴高遷移率與本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)使其具有優(yōu)異的電學(xué)性能,有望取代硅成為下一代碳基集成電路的核心材料。目前制約高性能碳納米管晶體管規(guī);瘧(yīng)用的關(guān)鍵在于制備大量手性一
【作者單位】: 國家自然科學(xué)基金委化學(xué)科學(xué)部;
【關(guān)鍵詞】本征半導(dǎo)體;核心材料;電子空穴;半導(dǎo)體材料;規(guī);瘧(yīng)用;電學(xué)性能;信息產(chǎn)業(yè);高遷移率;移動智能;半導(dǎo)體性;
【分類號】:O613.71;TB383.1
【正文快照】: 伴隨著可移動智能設(shè)備、云存儲和大數(shù)據(jù)處理的廣泛應(yīng)用,快速發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)對下一代更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體材料提出了更高的要求。碳納米管電子空穴高遷移率與本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)使其具有優(yōu)異的電學(xué)性能,有望取代硅成為下一代碳基集成電路的核心材料。目前制約高性能碳納米管晶體管,

本文編號:1119157

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