氧化鎳基電阻存儲薄膜的電學(xué)性能研究
發(fā)布時間:2017-10-30 13:51
本文關(guān)鍵詞:氧化鎳基電阻存儲薄膜的電學(xué)性能研究
更多相關(guān)文章: 溶膠-凝膠法 電阻開關(guān)性能 熱處理溫度
【摘要】:以醋酸鎳為原料,乙二醇甲醚為溶劑,苯酰丙酮為化學(xué)修飾劑,采用溶膠-凝膠法與化學(xué)修飾法相結(jié)合的方法制備感光性氧化鎳基溶膠及凝膠膜,凝膠膜進(jìn)行熱處理后,進(jìn)行電學(xué)性能測試,結(jié)果表明在不同熱處理溫度下的薄膜都具有明顯的電阻開關(guān)特性,且隨著熱處理溫度的升高,薄膜的復(fù)位電壓有變化,但對開關(guān)比沒有明顯的影響,其開關(guān)比(Roff/Ron)的數(shù)量級都為103。當(dāng)熱處理溫度為300℃時,Ni Ox薄膜的電阻開關(guān)性能最優(yōu)。
【作者單位】: 西安航空職業(yè)技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 溶膠-凝膠法 電阻開關(guān)性能 熱處理溫度
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: 隨著智能手機(jī)、平板電腦及手提電腦等便攜式個人設(shè)備的逐漸普及,非揮發(fā)性存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)中發(fā)揮的作用越來越大。這樣就對其的高密度、高速度、低功耗等特性提出了更高的要求。由于傳統(tǒng)的FLASH存儲器縮放技術(shù)日益接近其物理極限而帶來的漏電流問題影響其進(jìn)一步發(fā)展,于是各,
本文編號:1117848
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