本文關(guān)鍵詞：反應(yīng)濺射法制備高透明導電ZnO薄膜的研究

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【摘要】：利用Zn/Zn O復(fù)合靶材,通過射頻磁控濺射技術(shù),在襯底溫度為150℃時分別在Ar+O2和Ar+H2的混合氣氛中制備Zn O薄膜,通過干涉顯微鏡、XRD、Hall效應(yīng)測試儀、紫外-可見分光光度計研究了O2和H2流量對薄膜結(jié)構(gòu)及透明導電性能的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn),薄膜厚度隨O2流量增加而明顯增加而隨H2流量增加呈下降趨勢。只有通入合適流量的O_2或H_2,薄膜才能保持(002)擇優(yōu)取向、較高的結(jié)晶度以及較小的壓應(yīng)力,同時在薄膜中形成高濃度VO和/或Hi等缺陷,因此有效降低Zn O薄膜的電阻率,并保持高的透光率,從而改善Zn O薄膜透明導電性能。當前研究中,當O_2和H_2流量分別為0.4 sccm和2.0 sccm時,得到的最低電阻率分別為6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大約為81.5%,相應(yīng)的最高品質(zhì)因子分別為1.04×10-3和1.29×10-3Ω-1。
【作者單位】： 武漢科技大學省部共建耐火材料與冶金國家重點實驗室;華中科技大學材料成形與模具技術(shù)國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： Zn/ZnO復(fù)合靶 反應(yīng)濺射 氣體流量 ZnO薄膜 結(jié)晶度 透明導電性
【基金】：材料成形與模具技術(shù)國家重點實驗室開放基金課題(P2014-06)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： (Received 2 December 2015,accepted 18 January 2016)transparent conductive properties1引言Zn O是一種常見的直接帶隙Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,在常溫下具有較高的禁帶寬度(3.3 e V)和高的激子束縛能(60 me V)。同時,Zn O還具有熱穩(wěn)定性高、生物兼容性好、刻蝕工藝簡單,原料豐

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1 李家亮;姜洪義;牛金葉;鄒科;;透明導電氧化物薄膜的研究現(xiàn)狀及展望[J];現(xiàn)代技術(shù)陶瓷;2006年01期

2 鄭世沛;玻璃表面SnO_2透明導電涂層工藝的專利述評[J];材料導報;1991年08期

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本文編號：1109850