本文關(guān)鍵詞：鈦酸鍶鋇納米管陣列薄膜的水熱合成及其性能研究

  更多相關(guān)文章： 鈦酸鍶鋇 納米管陣列薄膜 水熱法 表面形貌 介電性能

【摘要】：以陽極氧化法制備的二氧化鈦納米管陣列為模板,結(jié)合水熱法制備了鈦酸鍶鋇納米管陣列薄膜。討論了Ba_(1-x)Sr_xTiO_3納米管陣列薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌和電學(xué)性能。用X射線衍射儀表征其晶體結(jié)構(gòu);掃描電子顯微鏡觀察其表面及斷口形貌;以及用寬頻介電阻抗譜儀測試其介電性能。結(jié)果表明:在較為溫和的條件下用水熱法制備了立方相及四方相的Ba_(1-x)Sr_xTiO_3納米管陣列薄膜;納米管孔徑在65~80 nm之間,薄膜厚度可達10μm以上;經(jīng)熱處理之后的薄膜樣品在1 kHz介電常數(shù)可達338,介電損耗為0.46。
【作者單位】： 海南大學(xué)材料與化工學(xué)院海南優(yōu)勢資源化工材料應(yīng)用技術(shù)教育部重點實驗室硅鋯鈦資源綜合開發(fā)與利用海南省重點實驗室;天津師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;清華大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 鈦酸鍶鋇 納米管陣列薄膜 水熱法 表面形貌 介電性能
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)(2007AA03Z524) 國家自然科學(xué)基金(50872093) 海南大學(xué)科研基金(Hjkj-2010-11)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 1 引言 鐵電鈦酸鍶鋇(Ba1-xSrxTiO 3)或BST薄膜在微電子應(yīng)用中被廣泛研究,如多層陶瓷電容器、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和鐵電場效應(yīng)晶體管(Fe FET)等,其優(yōu)勢在于合成成本低、介電常數(shù)高和介電損耗較低[1-2]。 鋇鍶比對鈦酸鍶鋇薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和電性能有著重要的影響。BST薄

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