本文關(guān)鍵詞：超導(dǎo)Nb薄膜的RIE刻蝕與表征

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【摘要】：反應(yīng)離子刻蝕(RIE)是超導(dǎo)器件制備中重要工藝流程之一.本文介紹了利用RIE對(duì)超導(dǎo)Nb薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)通過(guò)調(diào)節(jié)刻蝕參數(shù)來(lái)調(diào)控薄膜側(cè)壁的邊緣傾角.由于Nb薄膜刻蝕的邊緣傾角主要取決于Nb薄膜和光刻膠的刻蝕速率比,因此我們通過(guò)在RIE反應(yīng)氣體CF_4中添加不同比例的氧氣,同時(shí)調(diào)節(jié)流量、功率等其他刻蝕參數(shù),獲得不同的刻蝕速率和邊緣傾角.我們利用SEM對(duì)刻蝕后的Nb線條進(jìn)行表征,從而獲得邊緣傾角隨不同氧氣配比的變化曲線.本工作對(duì)于Nb基SQUID等多層平面器件的制備具有較大意義.通過(guò)控制Nb薄膜的邊緣傾角可以改善層間線條交疊部分的有效過(guò)渡,而較陡直的超導(dǎo)薄膜邊緣有利于降低磁通釘扎幾率,從而改善SQUID低頻噪聲性能.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;上�？萍即髮W(xué)物質(zhì)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 超導(dǎo) 鈮薄膜 反應(yīng)離子刻蝕
【基金】：中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專(zhuān)項(xiàng)(B類(lèi))資助(批準(zhǔn)號(hào):XDB04010100) 上海市自然科學(xué)基金資助(批準(zhǔn)號(hào):15ZR1447400)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】：TM26
【正文快照】： 1 弓|言 鈮(Nb)在元素超導(dǎo)體中具有最高的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(?9.2K),而且具有較長(zhǎng)的相干長(zhǎng)度(?40nm)和較短的穿透深度(?85nm),因此被廣泛的應(yīng)用于低溫約瑟夫森結(jié)、SQUID等超導(dǎo)電子器件中?Nb薄膜通常利用磁控濺射的方式在Si等襯底上來(lái)制備.目前,最為通用的Nb薄膜的加工手段是利用反，

本文編號(hào)：1034334