本文關(guān)鍵詞：論我國《海商法》中“提單持有人”的內(nèi)涵限定與外延拓展，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

1)  extended space

外延空間

2)  epitaxy

外延

1.

In Situ monitoring of Epitaxy Growth by Differential RHEED under High Pressure;

高壓強(qiáng)下外延生長的差分RHEED原位監(jiān)測

2.

New Progress in wafer epitaxy technologies for high-brightness white LEDs;

高亮度白光LED用外延片的新進(jìn)展

3.

Growth and characterization of GaN by lateral epitaxy overgrowth (LEO);

GaN材料的橫向外延過生長(LEO)及其特性研究

3)  denotation

外延

1.

Connotation and denotation of the socialization of P.E;

體育社會化的內(nèi)涵與外延

2.

The definition of the connotation and denotation of the study of pharmacology of traditional Chinese medical formulae should be determined completely based on history, objectivity and development, so as to enable the study of pharmacology of traditional Chinese medical formulae to become a comprehensive and systematic project with the theory of traditional Chinese medicine as the bas.

方劑學(xué)內(nèi)涵和外延的定義 ,應(yīng)以全面、歷史、客觀、發(fā)展的理念來確定。

3.

The article explains the significance of understanding the meaning of English words accurately through demonstrating the concepts and characteristics of denotation and connotation.

英語詞匯意義豐富,外延與內(nèi)涵是詞匯的兩種最基本的意義。

4)  extension

外延

1.

Discussion of connotation and extension of Chinese nursing;

中醫(yī)護(hù)理學(xué)內(nèi)涵與外延的探討

2.

Narrowing the connotation of "holder of B/L" and widening its extensions in PRC Maritime Code;

論我國《海商法》中“提單持有人”的內(nèi)涵限定與外延拓展

5)  liquid phase epitaxy

液相外延

1.

Fabrication of β-BBO thin films by liquid phase epitaxy technique;

液相外延法制備β-BBO薄膜

2.

Progress in Research on Liquid Phase Epitaxy;

液相外延技術(shù)的研究進(jìn)展

3.

In this paper,the application of liquid phase epitaxy(LPE) technology in the preparation of such materials as silicon,HgCdTe,single-crystal garnet film,III-V semiconductor material,et.

本文介紹了液相外延技術(shù)在制備硅材料、碲鎘汞材料、石榴石型單晶材料、III-V族半導(dǎo)體材料和其他一些無機(jī)材料方面的應(yīng)用,簡述了液相外延技術(shù)近十多年來在系統(tǒng)改善、工藝改進(jìn)和相關(guān)理論研究方面的成果,并指出了液相外延技術(shù)相對于其他外延技術(shù)的優(yōu)勢及其發(fā)展需要克服的困難。

6)  epitaxial growth

外延生長

1.

Scanning tunneling microscopy studies on the epitaxial growth of organic semiconductors;

有機(jī)半導(dǎo)體外延生長的掃描隧道顯微鏡研究

2.

Research on the epitaxial growth technique of 3C SiC on silicon substrates;

硅基3C-SiC薄膜的外延生長技術(shù)

3.

sing a rotating boat system for liquid phase epitaxial growth the GaP epitaxy has been prepared.

采用旋轉(zhuǎn)舟液相外延生長系統(tǒng)獲得ＧａＰ外延片，由它制得ＣａＰ紅色發(fā)光二極管，其外量子效率可高達(dá)１０％（在電流密度為１。

參考詞條

固相外延  外延美  外延襯底  外延膜  硅外延片  外延乳劑  外延結(jié)構(gòu)  教學(xué)外延  La0.67Pb0.33MnO3外延膜  無解性  城市功能轉(zhuǎn)變 

補(bǔ)充資料：半導(dǎo)體外延生長

半導(dǎo)體外延生長
epitaxial growth of semiconductors

　　半導(dǎo)體外延生長即itaxial盯owth of semieon.ductors將襯底的結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸到沉積層中形成有源層的技術(shù)。在半導(dǎo)體材料和器件的早期發(fā)展中已發(fā)現(xiàn)，用體單晶進(jìn)行擴(kuò)散或離子注入等方法形成薄膜作為有源層時，難以控制它們的濃度、厚度、結(jié)晶性能和電學(xué)性質(zhì)等。因此，在20世紀(jì)60年代發(fā)展了外延工藝。外延是用單晶層沉積在單晶襯底表面上，并使襯底的結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸到沉積層中。當(dāng)沉積層和襯底是同種材料時稱為同質(zhì)外延，如GaAs層沉積在GaAs襯底上;而當(dāng)沉積層與襯底不是同種材料時，則稱為異質(zhì)外延，如GaAIAs層沉積在GaAs襯底上。 外延條件與特征根據(jù)外延的定義，通常需要滿足兩個條件:①外延層和襯底的晶體結(jié)構(gòu)必須具有相同的結(jié)晶空間群;②外延層和襯底的晶格參數(shù)必須盡量匹配。所謂盡量匹配，至今尚無定論，但有一般規(guī)律。如果晶格失配度定義為 。=(aL一雋)/aAv，(式中al_和繩分別為外延層和襯底的晶格參數(shù)，吸v為其平均值)，則當(dāng)。蕊10一時，外延生長將使外延層產(chǎn)生晶格變形，以便穿越襯底和外延層，保持真正的晶格平面連續(xù)性;當(dāng):>10一時，則界面將產(chǎn)生失配位錯等缺陷，以調(diào)節(jié)襯底和外延層之間存在的晶格失配和增加外延層成核困難的趨勢。 與體單晶生長相比，外延生長具有下列優(yōu)點(diǎn):①外延溫度比體單晶的熔點(diǎn)低，可減少雜質(zhì)沾污;②可采用經(jīng)過提純的高純原料，提高半導(dǎo)體的純度;③可實現(xiàn)異質(zhì)外延;④可制備多層和超薄層，甚至超晶格和原子層結(jié)構(gòu)材料;⑤可控制外延層厚度、摻雜濃度和改變導(dǎo)電類型等。 外延方法及制備近10年來，外延生長的工藝和理論都有很大進(jìn)展。選擇合適的外延方法，不但可以獲得高純度、低位錯、突變界面、高生產(chǎn)率、高均勻性和良好重復(fù)性的半導(dǎo)體材料，而且能夠進(jìn)行單原子層的外延，即所謂原子層外延(ALE)和原子層摻雜。后者為研究突變界面結(jié)構(gòu)材料和在原子級水平上理解同質(zhì)和異質(zhì)外延的機(jī)理提供十分重要的信息。 隨著半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)制備，大面積集成、光電集成、超晶格與相應(yīng)結(jié)構(gòu)的發(fā)明和創(chuàng)造，使半導(dǎo)體材料、器件及電路進(jìn)入新的水平，而這些結(jié)構(gòu)只能用外延方法制備。常用的外延方法主要有4種:①氣相外延(VPD。在51外延中常稱化學(xué)氣相沉積(CVD)。VPE與CVD的區(qū)別在于后者既包括外延又包括非外延。在VPE中反應(yīng)物在流動氣流中輸運(yùn)至襯底，然后進(jìn)行沉積。金屬有機(jī)化合物氣相外延(MOVPE)是VPE中一種較新的工藝。

說明：補(bǔ)充資料僅用于學(xué)習(xí)參考，請勿用于其它任何用途。

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